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方硕 副教授

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A Novel S-Gate-Assisted SOI n-MOSFET for Total Ionizing Dose Radiation Reinforcement

发布时间:2024-02-28
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发表刊物:
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES
卷号:
3
页面范围:
956-961
ISSN号:
0018-9383
是否译文:
发表时间:
2022